Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1 IGBT模块 中功率 经济型
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ModelFF750R17ME7DPB11BPSA1
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Technology: Si
Configuration: Dual
Mounting Style: Press Fit
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Continuous Collector Current at 25 C: 750 A
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