Infineon FS150R12N2T7BPSA2 IGBT 硅模块低功率经济型

Name: Infineon FS150R12N2T7BPSA2 IGBT 硅模块 低功率经济型
Brand: Infineon

ModelFS150R12N2T7BPSA2

联系我们

数量

安全结算

品质保证

轻松更换与退货

支持配送

Technology: Si

Configuration: 6-Pack

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V

Continuous Collector Current at 25 C: 150 A

获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知，直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款和隐私政策。

快速支持

直接联系认证专家

Infineon FS150R12N2T7BPSA2 IGBT 硅模块 低功率经济型