Infineon FS150R17N3E4 IGBT 硅模块低功率经济型

Name: Infineon FS150R17N3E4 IGBT 硅模块 低功率经济型
Brand: Infineon

ModelFS150R17N3E4

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Technology: Si

Unit Weight: 300 g

REACH - SVHC: Details

Configuration: 6-Pack

Pd - Power Dissipation: 835 W

Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.7 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.95 V

Continuous Collector Current at 25 C: 150 A

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