Infineon IGLD60R190D1AUMA3 氮化镓场效应晶体管 高压氮化镓分立器件
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ModelIGLD60R190D1AUMA3
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Technology: GaN
REACH - SVHC: Details
Moisture Sensitive: Yes
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 10 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
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