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Infineon IGLD60R190D1AUMA3 氮化镓场效应晶体管高压氮化镓分立器件 | EMIN.VN

氮化镓场效应管
Infineon IGLD60R190D1AUMA3 氮化镓场效应晶体管高压氮化镓分立器件

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Infineon IGLD60R190D1AUMA3 氮化镓场效应晶体管高压氮化镓分立器件

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Technology: GaN

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Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 10 V

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V

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