MACOM CGHV1J006D-GP5 氮化镓场效应晶体管芯片，6瓦，18.0GHz，氮化镓高电子迁移率晶体管，1.2毫米，GP5

Qorvo QPD0007TR13 氮化镓场效应管 3.4-3.8GHz 15W 50V 氮化镓单通道

Infineon IGO60R070D1AUMA2 氮化镓场效应晶体管 高压氮化镓分立器件

MACOM GTVA261701FA-V1-R2 氮化镓场效应晶体管 射频LDMOS场效应晶体管

ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2 氮化镓HEMT功率级纳米电容，EcoGaN，650V 50毫欧 2MHz，氮化镓HEMT功率级集成电路

Infineon GS-065-008-1-L-MR 氮化镓场效应管 650V, 8A, 氮化镓增强型, 5x6 PDFN, 底部冷却

Infineon GS66502B-MR 氮化镓场效应管 650V，7.5A，氮化镓增强型，GaNPX 封装，底部冷却

Infineon GS-065-030-6-LT-TR GaN FETs CoolGaN 晶体管 700 V G4，提供极致效率和可靠性

MACOM CGH40090PP 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 直流-2.5GHz，90瓦

MACOM CGHV1J025D-GP4 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 芯片 DC-18GHz，25瓦

MACOM CG2H40035P 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL