人事
公司文化
维修服务
联系我们

制造商招聘

产品介绍
使用说明
分销商
分销商
对于供应商
对于客户
论坛
通知

校准服务
维修服务
设备租赁服务
鉴定服务

© 2011 - 2026 EMIN.VN. 版权所有。

MACOM CGHV40050F 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz，50瓦 | EMIN.VN

氮化镓场效应管
MACOM CGHV40050F 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz，50瓦

获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知，直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款和隐私政策。

快速支持

直接联系认证专家

Product image

MACOM CGHV40050F 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz，50瓦

制造商MACOM(查看更多该品牌的产品)

ModelCGHV40050F

联系我们

数量

安全结算

品质保证

轻松更换与退货

支持配送

Technology: GaN

Output Power: 50 W

Transistor Type: GaN HEMT

Maximum Operating Frequency: 6 GHz

Minimum Operating Frequency: 0 Hz

相关产品

Qorvo QPD0007TR13 氮化镓场效应管 3.4-3.8GHz 15W 50V 氮化镓单通道

Qorvo QPD0007TR13 氮化镓场效应管 3.4-3.8GHz 15W 50V 氮化镓单通道

Infineon IGO60R070D1AUMA2 氮化镓场效应晶体管高压氮化镓分立器件

Infineon IGO60R070D1AUMA2 氮化镓场效应晶体管高压氮化镓分立器件

MACOM GTVA261701FA-V1-R2 氮化镓场效应晶体管射频LDMOS场效应晶体管

MACOM GTVA261701FA-V1-R2 氮化镓场效应晶体管射频LDMOS场效应晶体管

ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2 氮化镓HEMT功率级纳米电容，EcoGaN，650V 50毫欧 2MHz，氮化镓HEMT功率级集成电路

ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2 氮化镓HEMT功率级纳米电容，EcoGaN，650V 50毫欧 2MHz，氮化镓HEMT功率级集成电路

Infineon GS-065-008-1-L-MR 氮化镓场效应管 650V, 8A, 氮化镓增强型, 5x6 PDFN, 底部冷却

Infineon GS-065-008-1-L-MR 氮化镓场效应管 650V, 8A, 氮化镓增强型, 5x6 PDFN, 底部冷却

Infineon GS66502B-MR 氮化镓场效应管 650V，7.5A，氮化镓增强型，GaNPX 封装，底部冷却

Infineon GS66502B-MR 氮化镓场效应管 650V，7.5A，氮化镓增强型，GaNPX 封装，底部冷却

Infineon GS-065-030-6-LT-TR GaN FETs CoolGaN 晶体管 700 V G4，提供极致效率和可靠性

Infineon GS-065-030-6-LT-TR GaN FETs CoolGaN 晶体管 700 V G4，提供极致效率和可靠性

MACOM CGH40090PP 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 直流-2.5GHz，90瓦

MACOM CGH40090PP 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 直流-2.5GHz，90瓦

MACOM CGHV1J025D-GP4 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 芯片 DC-18GHz，25瓦

MACOM CGHV1J025D-GP4 氮化镓高电子迁移率晶体管 GaN HEMT 芯片 DC-18GHz，25瓦

MACOM CG2H40035P 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL

MACOM CG2H40035P 氮化镓场效应晶体管 GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL