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Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G IGBT晶体管 IGBT PT MOS 7 组合 1200 V 35 A TO-247 MAX

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ModelAPT35GP120B2DQ2G

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Technology: Si

Unit Weight: 38 g

Mounting Style: Through Hole

Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V

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