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Microchip Technology MSC011SMC120D/S SiC MOSFETS MOSFET 硅碳化物 1200 V 11 mOhm 芯片

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ModelMSC011SMC120D/S

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Rds On - Drain-Source Resistance: 11 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV

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