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Microchip Technology MSC750SMA170B4 SiC MOSFETS MOSFET 硅碳化物 1700 V 750 毫欧 TO-247-4

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ModelMSC750SMA170B4

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Technology: SiC

Unit Weight: 6 g

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: N-Channel

Rds On - Drain-Source Resistance: 750 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.7 kV

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