Channel Type: Dual N Channel
Power Dissipation: 1.409
Transistor Case Style: Module
Drain Source Voltage Vds: 1.2
Operating Temperature Max: 175 °C
Continuous Drain Current Id: 337
Mosfet Module Configuration: Half Bridge
Drain Source On State Resistance: 7.8
Gate Source Threshold Voltage Max: 2.8
Datasheet
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