onsemi 2SK932-23-TB-E JFET N沟道结型场效应晶体管
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Model2SK932-23-TB-E
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Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Drain-Source Current at Vgs=0: 50 mA
Id - Continuous Drain Current: 50 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
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