onsemi MCH3914-8-TL-H JFET N沟道结型场效应晶体管
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ModelMCH3914-8-TL-H
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Technology: Si
Unit Weight: 7.440 mg
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Drain-Source Current at Vgs=0: 50 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
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