onsemi NFAQ1060L33T 三相IGBT逆变器600V，10A逆变器
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ModelNFAQ1060L33T
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Technology: Si
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 46 W
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 V
Continuous Collector Current at 25 C: 10 A
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