onsemi NXH35C120L2C2ESG IGBT 硅模块 TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB

Name: onsemi NXH35C120L2C2ESG IGBT 硅模块 TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
Brand: onsemi

ModelNXH35C120L2C2ESG

联系我们

数量

安全结算

品质保证

轻松更换与退货

支持配送

Technology: Si

Configuration: 3-Phase Inverter

Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8 V

Continuous Collector Current at 25 C: 35 A

获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知，直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款和隐私政策。

快速支持

直接联系认证专家