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ROHM Semiconductor BM63767S-VA 3相600V IGBT IPM HSDIP25长引脚

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ModelBM63767S-VA

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Technology: Si

Mounting Style: Through Hole

Pd - Power Dissipation: 59 W

Maximum Operating Temperature: + 100 C

Minimum Operating Temperature: - 25 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V

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