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STMicroelectronics STGWA30M65DF2 IGBT晶体管沟槽栅场停止IGBT M系列，650 V 30 A低损耗

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ModelSTGWA30M65DF2

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Technology: Si

Unit Weight: 2 g

Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V

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