For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.VN
0
Product image

Teledyne e2v GS66516B GAN 4 GaNPX / 底部冷却 EHEMT / 650V-25mOhm

联系我们
安全结算
品质保证
轻松更换与退货
支持配送

Transistor Mounting: Surface Mount

Typical Gate Charge: 12.1

Transistor Case Style: DIE

Drain Source Voltage Vds: 650

Continuous Drain Current Id: 60

Drain Source On State Resistance: 32

Datasheet


获取优惠更新

获取专属批量折扣、批发价格更新和新产品通知,直接发送到您的邮箱。

订阅即表示您同意我们的服务条款隐私政策

快速支持

直接联系认证专家