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Vishay SISS32DN-T1-GE3 N沟道80伏(漏-源)MOSFET

ModelSISS32DN-T1-GE3
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Channel Type: N Channel

Power Dissipation: 65.7

Transistor Mounting: Surface Mount

Transistor Case Style: PowerPAK 1212-

Drain Source Voltage Vds: 80

Operating Temperature Max: 150 °C

Continuous Drain Current Id: 63

Drain Source On State Resistance: 7.2

Gate Source Threshold Voltage Max: 3.8

Datasheet


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