Dual Forward Conducting P-Gate Thyristors Dual P Gate Forward Conducting Bourns TISP61089BDR-S
Hãng sản xuất: Bourns Model: TISP61089BDR-S - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0345.689.536
Width: 4 mm
Height: 1.55 mm
Length: 5 mm
Compliance: UL
Unit Weight: 80 mg
Current Rating: 5 uA
Mounting Style: SMD/SMT
Vf - Forward Voltage: 3 V
Breakover Voltage VBO: - 112 V
Holding Current Ih Max: - 150 mA
Breakover Current IBO Max: 6.5 A
Gate Trigger Current - Igt: 5 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 2.5 V
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Non Repetitive On-State Current: 6.5 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: - 170 V
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
