OptiMOS 3 Power-Transistor N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3 Infineon IPP076N12N3 G
Hãng sản xuất: Infineon Model: IPP076N12N3 G - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0345.689.536
Width: 4.4 mm
Height: 15.65 mm
Length: 10 mm
Fall Time: 10 ns
Rise Time: 50 ns
Technology: Si
Unit Weight: 2 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 76 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 188 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 24 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 39 ns
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 116 S, 58 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 7.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
