STMicroelectronics STGWA100H65DFB2 IGBTトランジスタ トレンチゲートフィールドストップ, 650 V, 100 A, 高速HB2シリーズIGBT
ModelSTGWA100H65DFB2
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Unit Weight: 6.100 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 441 W
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.55 V
Continuous Collector Current at 25 C: 145 A
