
Bước sang giai đoạn 2026–2030, vật liệu bán dẫn vùng cấm rộng (Wide Bandgap - WBG) như Silicon Carbide (SiC) và Gallium Nitride (GaN) đang thay đổi cấu trúc ngành điện tử công suất, ô tô điện (EV/HEV), năng lượng tái tạo và trung tâm dữ liệu AI. Sự dịch chuyển từ Silicon truyền thống sang SiC và GaN giúp tối ưu hóa mật độ công suất, thu nhỏ kích thước linh kiện phụ trợ và nâng cao hiệu suất năng lượng toàn hệ thống.









