IGBT Transistors 1200V, 75A Field Stop VII Discrete IGBT in Power TO247-3L Packaging onsemi FGY75T120SWD
Hãng sản xuất: onsemi Model: FGY75T120SWD - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0345.689.536
Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Pd - Power Dissipation: 503 W
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: - 20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV
Continuous Collector Current Ic Max: 150 A
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.68 V
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
