For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

IGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins onsemi NXH80T120L3Q0S3G

Technology: Si

Configuration: Half Bridge

Mounting Style: Press Fit

Pd - Power Dissipation: 82 W

Gate-Emitter Leakage Current: 300 nA

Maximum Gate Emitter Voltage: 20 V

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 40 C

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V

Continuous Collector Current at 25 C: 75 A

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi