MOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected PANJIT PJX8601_R1_00001
Hãng sản xuất: PANJIT Model: PJX8601_R1_00001 - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0345.689.536
Fall Time: 23 ns
Rise Time: 21 ns
Technology: Si
Unit Weight: 6 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 14 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 10 V
Typical Turn-On Delay Time: 2.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 85 ns
Id - Continuous Drain Current: 500 mA, 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 900 mV
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
