MOSFET RX3G18BBG là MOSFET công suất có điện trở dẫn thấp và gói công suất cao, thích hợp cho ứng dụng chuyển mạch. ROHM Semiconductor RX3G18BBGC16
Hãng sản xuất: ROHM Semiconductor Model: RX3G18BBGC16 - Liên hệ
Tham khảo dịch vụ Hiệu chuẩn-Kiểm định và Sửa chữa
Gọi để có giá tốt
TP. Hà Nội: (024) 35.381.269
TP. Đà Nẵng: (023) 63.747.711
TP. Bắc Ninh: (0222) 730.39.68
TP. Hải Phòng: (0225) 730.03.89
TP. HCM: (028) 38.119.636
Đồng Nai: 0932.160.940
Fall Time: 340 ns
Rise Time: 64 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Type: 1 N-Channel
Qg - Gate Charge: 210 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 192 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 49 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 280 ns
Id - Continuous Drain Current: 270 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 70 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.47 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
- Cam kết chất lượng
- Bảo hành chính hãng
- Giao hàng tận nơi
- Đơn giản hóa giao dịch
