
Sự phổ biến của các linh kiện bán dẫn dải rộng như SiC và GaN trong biến tần quang điện, bộ truyền động động cơ và hệ thống sạc trên ô tô đã thúc đẩy tần số đóng cắt và mật độ công suất của các bộ biến tần ba pha lên mức cao chưa từng có. Tuy nhiên, sự phát triển này cũng kéo theo những thách thức đo lường khắc nghiệt: điện áp cao, nhiễu điện từ dữ dội và yêu cầu bắt tín hiệu chuyển mạch siêu nhanh ở quy mô nan giây.









