For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

MOSFET công suất kênh N Toshiba TPH5200FNH,L1Q

Width: 5 mm

Height: 0.95 mm

Length: 5 mm

Fall Time: 12 ns

Rise Time: 8 ns

Technology: Si

Unit Weight: 83 mg

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Qg - Gate Charge: 22 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 78 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V

Typical Turn-On Delay Time: 20 ns

Typical Turn-Off Delay Time: 36 ns

Id - Continuous Drain Current: 26 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 44 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 250 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi