For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.

BJTs - Bipolar Transistors RAIL BIPOLAR WeEn Semiconductors PHE13005,127

Width: 4.7 mm

Height: 9.4 mm

Length: 10.3 mm

Technology: Si

Unit Weight: 6 g

REACH - SVHC: Details

Configuration: Single

Mounting Style: Through Hole

Transistor Polarity: NPN

Pd - Power Dissipation: 75 W

DC Current Gain hFE Max: 40

Emitter- Base Voltage VEBO: 9 V

Collector- Base Voltage VCBO: 700 V

Maximum DC Collector Current: 4 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min: 10

Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V

Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV

  • Cam kết chất lượng
  • Bảo hành chính hãng
  • Giao hàng tận nơi
  • Đơn giản hóa giao dịch

Đăng ký nhận bản tin - cơ hội nhận khuyến mãi