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Infineon S29GL01GT12TFN023 NOR闪存 PNOR

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GigaDevice GD25X512MEBARY NOR闪存

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GSI Technology GS832236AB-250 管道/流通 2.5 或 3.3V 1M x 36 36M

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GigaDevice GD25Q64EQIGR NOR闪存

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Alliance Memory AS7C34098A-12TCNTR 异步，4Mb，256K x 16，3.3V，44针TSOP II，10ns，商业温度 - 卷带包装

Alliance Memory AS7C34098A-12TCNTR 异步，4Mb，256K x 16，3.3V，44针TSOP II，10ns，商业温度 - 卷带包装

Infineon S25FL512SDSBHI210 NOR闪存 512Mb，3V，80MHz CMOS SPI闪存

Infineon S25FL512SDSBHI210 NOR闪存 512Mb，3V，80MHz CMOS SPI闪存

Swissbit SFEM4096B1EA1TO-I-GE-12P-STD eMMC闪存驱动器工业嵌入式MMC, EM-26, 4 GB, PSLC闪存, -40°C至+85°C

Swissbit SFEM4096B1EA1TO-I-GE-12P-STD eMMC闪存驱动器工业嵌入式MMC, EM-26, 4 GB, PSLC闪存, -40°C至+85°C

Renesas Electronics RMLV3216AGBG-5S2#KC0 SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C

Renesas Electronics RMLV3216AGBG-5S2#KC0 SRAM 32MB 3V X16 FBGA48 55NS -40TO85C

Alliance Memory AS6C1616-55TINTR 异步16M，2.7-3.6V，55ns 1024K x 16 异步

Alliance Memory AS6C1616-55TINTR 异步16M，2.7-3.6V，55ns 1024K x 16 异步

GSI Technology GS88218CGD-250IV SCD/DCD 流水线/流通 1.8/2.5V 512K x 18 9M

GSI Technology GS88218CGD-250IV SCD/DCD 流水线/流通 1.8/2.5V 512K x 18 9M

GigaDevice GD25Q127CZIGY NOR闪存 128Mbit /3.3V /TFBGA24(6*4 球阵列) /工业级(-40℃ 至 +85℃) /托盘

GigaDevice GD25Q127CZIGY NOR闪存 128Mbit /3.3V /TFBGA24(6*4 球阵列) /工业级(-40℃ 至 +85℃) /托盘

ROHM Semiconductor BR25H320F-5ACE2 EEPROM 串行 32KBIT

ROHM Semiconductor BR25H320F-5ACE2 EEPROM 串行 32KBIT

Renesas Electronics RMLV1616AGSD-5S2#AA1 高级16MB X16 3V uTSOP 55NS -40/+85C

Renesas Electronics RMLV1616AGSD-5S2#AA1 高级16MB X16 3V uTSOP 55NS -40/+85C

Dialog Semiconductor AT45DB081E-SHNHC-T NOR闪存 8 Mbit，宽电压范围Vcc（1.7V至3.6V），-40°C至85°C，264字节二进制页模式，SOIC-W 208mil（卷带包装），单SPI数据闪存

Dialog Semiconductor AT45DB081E-SHNHC-T NOR闪存 8 Mbit，宽电压范围Vcc（1.7V至3.6V），-40°C至85°C，264字节二进制页模式，SOIC-W 208mil（卷带包装），单SPI数据闪存

ISSI IS61C25616AS-25TLI 异步4M（256Kx16）25纳秒异步

ISSI IS61C25616AS-25TLI 异步4M（256Kx16）25纳秒异步

Microchip Technology 24AA02T-I/ST EEPROM 256x8 - 1.8V

Microchip Technology 24AA02T-I/ST EEPROM 256x8 - 1.8V

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