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GSI Technology GS8662DT07BGD-350I SigmaQuad-II+ B4 1.8 或 1.5V 8M x 8 64M

GSI Technology GS8662DT07BGD-350I SigmaQuad-II+ B4 1.8 或 1.5V 8M x 8 64M

GSI Technology GS8662TT20BD-400I SigmaQuad-II+ 1.8 或 1.5V 4M x 18 72M

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ABLIC S-25C040A0I-T8T1U EEPROM SPI 串行 E2 PROM

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GSI Technology GS88237CGB-250IV SCD/DCD 流水线 1.8/2.5V 256K x 36 9M

GSI Technology GS88237CGB-250IV SCD/DCD 流水线 1.8/2.5V 256K x 36 9M

Microchip Technology 24AA52T-I/MS EEPROM 256x8 - 1.8V

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GSI Technology GS82583ET18GK-675 SigmaDDR-IIIe B2 1.2/1.5V 16M x 18 288M

GSI Technology GS82583ET18GK-675 SigmaDDR-IIIe B2 1.2/1.5V 16M x 18 288M

GSI Technology GS832132AGD-250I 管道/流通 2.5 或 3.3V 1M x 32 32M

GSI Technology GS832132AGD-250I 管道/流通 2.5 或 3.3V 1M x 32 32M

ISSI IS43TR16512BL-125KBLI SDRAM - DDR3L DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT

ISSI IS43TR16512BL-125KBLI SDRAM - DDR3L DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT

GSI Technology GS8128032GT-200I 管道/流通 2.5/3.3V 4M x 32 144M

GSI Technology GS8128032GT-200I 管道/流通 2.5/3.3V 4M x 32 144M

Dialog Semiconductor AT25XE041B-MAHN-T NOR闪存 4 Mbit，宽电压范围 Vcc（1.65V 至 3.6V），-40°C 至 85°C，DFN 2x3（卷带包装），Fusion（单路，双路）SPI NOR闪存

Dialog Semiconductor AT25XE041B-MAHN-T NOR闪存 4 Mbit，宽电压范围 Vcc（1.65V 至 3.6V），-40°C 至 85°C，DFN 2x3（卷带包装），Fusion（单路，双路）SPI NOR闪存

Microchip Technology 23A640-I/ST 同步64K 8K X 8 1.7V 串行 IND

Microchip Technology 23A640-I/ST 同步64K 8K X 8 1.7V 串行 IND

Micron MT47H128M8SH-25E IT:M TR SDRAM - DDR2 DDR2 1G 128MX8 FBGA

Micron MT47H128M8SH-25E IT:M TR SDRAM - DDR2 DDR2 1G 128MX8 FBGA

ISSI IS61NLP204836B-166TQLI-TR 同步72Mb，“无等待”/流水线，同步，2Mb x 36，166MHz，3.3v输入输出，100针TQFP，RoHS

ISSI IS61NLP204836B-166TQLI-TR 同步72Mb，“无等待”/流水线，同步，2Mb x 36，166MHz，3.3v输入输出，100针TQFP，RoHS

GSI Technology GS816136DD-333 管道/流通 2.5 或 3.3V 512K x 36 18M

GSI Technology GS816136DD-333 管道/流通 2.5 或 3.3V 512K x 36 18M

ABLIC S-93A86BD0A-K8T2U3 EEPROM

ABLIC S-93A86BD0A-K8T2U3 EEPROM

Infineon CY7C1570XV18-633BZXC 同步72MB（2Mx36）1.8v 633MHz DDR II

Infineon CY7C1570XV18-633BZXC 同步72MB（2Mx36）1.8v 633MHz DDR II

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