存储器IC

Micron MT41K256M8DA-107 AAT:K TR SDRAM - DDR3L DDR3 2G 256MX8 FBGA

Micron MT49H16M36SJ-18 IT:B RLDRAM2 RL 576M 16MX36 FBGA IT F67A

Micron MT60B1G16HC-48B:A TR SGRAM - GDDR5 DDR5 16G 1GX16 FBGA

ISSI IS61LPS25636A-200TQLI-TR 同步8Mb，流水线，同步，256K x 36，200MHz，3.3v I/O，100引脚TQFP，3CE，RoHS

Winbond W63CH6MBVACI TR SDRAM - LPDDR3 4Gb LPDDR3，x16，933MHz，工业温度，卷带包装

Alliance Memory AS7C31026B-10JINTR SRAM，1Mb，64K x 16，3.3V，44针400密尔SOJ，10ns，工业温度，B芯片，卷带包装

Infineon S25FS128SDSBHV200 NOR Flash 标准 SPI

Infineon S25FL256LDPBHB020 NOR Flash 标准 SPI

GSI Technology GS8321E36AGD-375I DCD 管道/流通 2.5 或 3.3V 1M x 36 36M

Micron MT62F1G64D4ZX-023 WT:C SDRAM 移动 - LPDDR5 LPDDR5 64Gbit 64 496/756 UFBGA 4 WT

GSI Technology GS816236DD-250V 管道/流通 1.8/2.5V 512K x 36 18M

Microchip Technology 93C76CT-E/MNY EEPROM 8k，512 X 16 或 1024X8 串行 EE，EXT

Micron MT62F512M32D2DS-031 AIT:B TR SDRAM 移动 - LPDDR5 LPDDR5 16G 512MX32 FBGA DDP

Zentel A3R12E40DBF-8E SDRAM - DDR2 DDR2 512Mb，32Mx16，800 a.CL5，1.8V，FBGA-84

ISSI IS25LP256E-JLLE-TR NOR Flash 256Mb QPI/QSPI，8针 WSON 6X8MM，RoHS，T&R

ISSI IS61QDB21M36A-250M3L SRAM 36Mb，四路（2次突发），同步，1M x 36，165球FBGA（15x17毫米），RoHS