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ROHM Semiconductor BRCC064GWZ-3E2 EEPROM I2C总线(2线) 64K UCSP30L1

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Microchip Technology SST39VF040-70-4I-NHE 无启动块 4M (512Kx8) 70纳秒 2.7-3.6V 工业级

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ISSI IS61LPS204818A-166TQL-TR 同步36M (2Mx18) 166MHz同步 3.3v

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Everspin Technologies EM004LXQBB313CS2R MRAM IC RAM 4Mb 四路 SPI 24-BGA 封装 133 MHz

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GSI Technology GS816218DGB-150 管道/流通 2.5 或 3.3V 1M x 18 18M

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STMicroelectronics M95320-RDW6TP EEPROM 32Kbit SPI 20 MHz 1.8V 至 5.5V

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GSI Technology GS84032CGT-150I 管道/流通 2.5 或 3.3V 128K x 32 4M

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Apacer D51.23184S.001 DRAM REG DDR4-2666 DIMM 4GB CL19 WT

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STMicroelectronics M95P08-IXMNT/E 超低功耗8兆位串行SPI页EEPROM

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SkyHigh Memory 40060519 NAND闪存 NAND

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ROHM Semiconductor BR93G46FVM-3AGTTR EEPROM Microwire总线 1Kbit(64x16bit)

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ROHM Semiconductor BR93A56RF-WME2 EEPROM 串行（电可擦可编程只读存储器）是一种非易失性存储器，可以以字节为单位进行电气重写，最适合用于数据存储。罗姆（ROHM）高可靠性的串行 EEPROM 位居前列

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Micron MTFC128GBCAQTC-IT TR eMMC 1Tbit 153/196 LFBGA IT

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Zentel A3T1GF30CBF-GMI SDRAM - DDR3 DDR3 1Gb，128Mx8，1600 a.CL11，1.5V，FBGA-78，工业温度

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GSI Technology GS881Z18CGT-150I NBT 流水线/流通 2.5 或 3.3V 512K x 18 9M

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Infineon CY7C1061GE30-10BVJXI 异步 ASYNC

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