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GSI Technology GS88018CGT-200V 同步突发 1.8/2.5V 512K x 18 9M

GSI Technology GS88018CGT-200V 同步突发 1.8/2.5V 512K x 18 9M

GSI Technology GS81280Z18GT-333IV NBT 管道/流通 1.8/2.5V 8M x 18 144M

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Micron MT29F2T08EMHBFJ4-R:B NAND闪存TLC 2T 256GX8 VBGA QDP

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Renesas Electronics 70V7339S200BC8 同步512K X 18，9M

Renesas Electronics 70V7339S200BC8 同步512K X 18，9M

Infineon S25FL256LAGMFA000 NOR闪存IC 256 Mb闪存

Infineon S25FL256LAGMFA000 NOR闪存IC 256 Mb闪存

Ramxeed MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 FRAM 4Mbit FeRAM，SPI，1.8-3.6V - SOP8（208mil）T&R（125C）

Ramxeed MB85RS4MTYPF-G-BCERE1 FRAM 4Mbit FeRAM，SPI，1.8-3.6V - SOP8（208mil）T&R（125C）

GSI Technology GS8342DT19BGD-300 SigmaQuad-II+ B4 1.8 或 1.5V 2M x 18 36M

GSI Technology GS8342DT19BGD-300 SigmaQuad-II+ B4 1.8 或 1.5V 2M x 18 36M

Ramxeed MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 FRAM 4Mbit FeRAM，SPI，1.7-1.95V - DFN8 T&R（AECQ100 125°C）

Ramxeed MB85RS4MLYPN-GS-AWEWE1 FRAM 4Mbit FeRAM，SPI，1.7-1.95V - DFN8 T&R（AECQ100 125°C）

GSI Technology GS81302QT37GE-250I SigmaQuad-II+ B2

GSI Technology GS81302QT37GE-250I SigmaQuad-II+ B2

GSI Technology GS84018CGT-200I 管道/流通 2.5 或 3.3V 256K x 18 4M

GSI Technology GS84018CGT-200I 管道/流通 2.5 或 3.3V 256K x 18 4M

Ramxeed MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2 FRAM 2Mbit FeRAM，SPI，1.8-3.6V - SOP8 T&R（AEC-Q100 125C）

Ramxeed MB85RS2MTYPNF-GS-AWERE2 FRAM 2Mbit FeRAM，SPI，1.8-3.6V - SOP8 T&R（AEC-Q100 125C）

Microchip Technology 24LC64-I/ST EEPROM 8kx8 - 2.5V

Microchip Technology 24LC64-I/ST EEPROM 8kx8 - 2.5V

ISSI IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR SRAM 2Mb 256Kx8 45MHz 2.2-3.6V 串行

ISSI IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR SRAM 2Mb 256Kx8 45MHz 2.2-3.6V 串行

GSI Technology GS8161Z18DD-200I NBT 2.5 或 3.3V 1M x 18 18M

GSI Technology GS8161Z18DD-200I NBT 2.5 或 3.3V 1M x 18 18M

GSI Technology GS8161Z18DD-200V NBT 1.8/2.5V 1M x 18 18M

GSI Technology GS8161Z18DD-200V NBT 1.8/2.5V 1M x 18 18M

Alliance Memory AS1C1M16P-70BINTR PSRAM（伪静态随机存取存储器）16M 1Mx16 3V 70ns 伪静态随机存取存储器 IT

Alliance Memory AS1C1M16P-70BINTR PSRAM（伪静态随机存取存储器）16M 1Mx16 3V 70ns 伪静态随机存取存储器 IT

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