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Infineon S25FL128SAGMFMG00 NOR Flash 标准 SPI

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Microchip Technology PM8032C-F3EI 存储控制器 Tachyon QE8

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ISSI IS42S16160G-7TLI SDRAM 256M，3.3V，S，16Mx16，143MHz，54针 TSOP II RoHS，IT

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GSI Technology GS864218B-250V SCD/DCD 管道/流通 1.8/2.5V 4M x 18 36M

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Renesas Electronics 7026L15JG8 高速7026L 16Kx16，256K，5V 双端口RAM

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ISSI IS46TR16512B-107MBLA1 SDRAM - DDR3 汽车级 (工作温度: -40 至 +95°C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s a. 13-13-13, 96球 BGA (10mm x 14mm) RoHS

ISSI IS46TR16512B-107MBLA1 SDRAM - DDR3 汽车级 (工作温度: -40 至 +95°C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s a. 13-13-13, 96球 BGA (10mm x 14mm) RoHS

GSI Technology GS8342R09BD-400 SigmaDDR-II B4 1.8 或 1.5V 4M x 9 36M

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GSI Technology GS832236AGD-200IV 管道/流通 1.8/2.5V 1M x 36 36M

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GSI Technology GS864418GE-166IV 同步突发 1.8/2.5V 4M x 18 36M

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ISSI IS25WP512M-RMLE-TR NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133MHz 串行

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Infineon S25FS512SDSNFI010 NOR Flash 标准 SPI

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Micron MT60B1G16HC-56B:G TR DRAM DDR5 16G 1GX16 FBGA

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Micron MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C TR NAND闪存 QLC 4T 512GX8 VBGA

Micron MT29F4T08GMLCEJ4-QM:C TR NAND闪存 QLC 4T 512GX8 VBGA

Microchip Technology SST39VF801C-70-4I-EKE NOR闪存 2.7至3.6V 8Mbit 多用途闪存

Microchip Technology SST39VF801C-70-4I-EKE NOR闪存 2.7至3.6V 8Mbit 多用途闪存

GSI Technology GS8342TT07BGD-350I SigmaDDR-II+ B2 1.8 或 1.5V 4M x 8 36M

GSI Technology GS8342TT07BGD-350I SigmaDDR-II+ B2 1.8 或 1.5V 4M x 8 36M

GSI Technology GS88236CB-150IV SCD/DCD 管道/流通 1.8/2.5V 256K x 32 8M

GSI Technology GS88236CB-150IV SCD/DCD 管道/流通 1.8/2.5V 256K x 32 8M

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