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GSI Technology GS81302T37E-400 SigmaDDR-II+ B2

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Microchip Technology 24LC02BT-E/MS EEPROM 256x8 - 1.8V

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ISSI IS43QR85120B-075UBL-TR DRAM 4G，1.2V，DDR4，512Mx8，2666MT/s a. 16-16-16，78球BGA（10mm x14mm）RoHS，卷带包装

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ISSI IS61C25616AL-10KLI-TR 异步4Mb，高速，异步，256K x 16，10纳秒，5伏，44针SOJ（400密耳），RoHS

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Microchip Technology AT24C512C-SHM-B EEPROM 1.7-5.5V，1MHz，工业温度，8-SOIC-W

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Microchip Technology 24LC044-E/MS EEPROM 4K，512 X 8 2.5V 串行 EE，地址引脚，外部

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GSI Technology GS841Z18CGT-250I NBT 流水线/流通 2.5 或 3.3V 256K x 18 4M

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ROHM Semiconductor BR93G86F-3BGTE2 EEPROM Microwire总线 16Kbit(1024x16bit)

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GSI Technology GS81280Z36GT-333IV NBT 管道/流通 1.8/2.5V 4M x 36 144M

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SkyHigh Memory S34ML04G100TFI9C0 NAND闪存

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Infineon S29GL01GS12DHIV20 NOR闪存 1G 3V 120纳秒并行

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GSI Technology GS881Z18CGD-200V NBT 1.8/2.5V 512K x 18 9M

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GigaDevice GD25LD80ESIGR NOR闪存

GigaDevice GD25LD80ESIGR NOR闪存

GigaDevice GD25Q80ESJGR NOR闪存

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SanDisk SDINFDO4-256G 通用闪存存储 (UFS) UFS3.1，带有Gear 4/2通道接口

SanDisk SDINFDO4-256G 通用闪存存储 (UFS) UFS3.1，带有Gear 4/2通道接口

GSI Technology GS81302TT10GE-400 SigmaDDR-II+ B2

GSI Technology GS81302TT10GE-400 SigmaDDR-II+ B2

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